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研究团队发展了器件结构单元聚焦离子束加工制备技术,设计制备出厚度均匀、边界表面平整、非晶层厚度小于两纳米的高质量纳米条带。其宽度为目前报道的最小尺寸。研究人员还研制了透射电镜原位加电芯片,扩展了洛伦兹透射电镜原位加电功能。通过控制电流脉冲宽度及电流密度,利用赛道边界的边缘态磁结构稳定斯格明子运动,研究团队实现了单个80纳米大小的磁斯格明子在100纳米赛道中的一维、稳定运动。
✸(撰稿:澹台逸青)美媒曝美国向盟国施压拟就对华芯片贸易实施更严厉管制,东京电子等股价下跌
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